模型厂商Anthropic的年经常性收入在2026年4月超过300亿美元，OpenAI的API每分钟处理Token数量也突破150亿个。这两个数据说明AI服务已经从早期的流量验证转向实际任务的规模化付费，后端硬件的消耗量随之大幅攀升。

  模型调用越多，后端消耗的服务器、交换机、光模块和存储资源就越多，算力硬件升级和存储周期复苏也就成了这一轮电子产业链变化的主线。

  从产业链看，受益最直接的环节包括印刷电路板、覆铜板以及存储芯片制造。前者承担服务器和高速网络中的信号连接，后者决定电路板能不能在更高频率、更高密度下稳定运行，存储芯片则直接受益于AI服务器对HBM、DRAM和NAND容量的提升。

  AI服务器对PCB的拉动，不只是GPU数量变多这么简单。GPU、CPU、网卡和存储之间要交换的数据慢慢的变多，信号传输速度更快，连接路径也要尽量缩短，这就要求主板上布置更多的高速线路。线路一多，电路板的层数、面积、材料等级和加工难度都会跟着提高。

  以英伟达Vera Rubin架构为例，Compute Tray在外部配置上仍是一个机柜18个托盘、单个托盘集成4个R200 GPU。表面看，托盘数量无显著变化，但每个托盘内部要承载的数据带宽其实已经提高了，原来的布线和材料规格很难继续满足高速传输需求，所以高密度互连主板要增加更多的信号层、电源层和屏蔽设计，覆铜板和铜箔规格也要相应升级。

  在VR200 NVL144 CPX方案里，这种变化会更明显。单个Compute Tray需要搭配8个Rubin CPX GPU和8个CX-9网卡，计算芯片和网卡之间的高速连接进一步增加。为减少跨层飞线，让机柜内部连接更规整，CPX架构新增了Midplane板。这个板卡预计超过40层，需要用M8等级的极低损耗覆铜板材料，单机柜的基板用量和工艺难度也会随之上升。

  后续Rubin Ultra NVL576机柜还会引入正交背板方案，用来替代大量高速铜缆。正交背板承担的是更高带宽、更复杂的板间连接，对材料和压合工艺技术要求更高，需要采用M9等级材料、Q布或聚四氟乙烯混压。也就是说，AI服务器升级带来的不是某一块板卡的简单增加，而是整套机柜内部互连方式的升级，这会持续提高单个算力节点的电路板价值量。

  谷歌TPU v7 Ironwood机架由16个TPU托盘和主机CPU托盘组成，每个TPU板安装4个TPUv7芯片，每个芯片配备4个OSFP连接器，用于芯片之间高速互连，并采用M8和M6等级混压基板。

  AI后端网络中，交换机端口速率正从800G向1.6T过渡，交换机电路板的层数、板厚以及线宽线距控制要求都在提升。预测显示，到2029年1.6T及以上端换机市场规模占比将超过70%。

  速率提升会直接反映到电路板层数上。100G时代，交换机电路板大多是22至28层；400G时代提升到28至40层；800G时代进一步达到38至46层；到了1.6T时代，层数预计会升至46至52层。层数越高，信号越容易受到损耗和串扰影响，所以材料和加工精度必须同步升级。

  光模块市场也在高速率产品放量中迎来量价齐升。根据预测，2026年全球光模块市场规模将达到180亿至300亿美元，其中1.6T光模块出货量将突破2000万只。从工艺参数看，400G光模块主要是采用10层3阶高密度互连工艺和标准铜箔，1.6T光模块要升级为12层任意互连高密度互连工艺，核心材料也要提升到M8极低损耗覆铜板，线微米。

  当线路越来越细，传统电路板工艺就会遇到瓶颈。过去常用的减成法，是通过蚀刻掉多余厚铜箔来形成线路，线宽和线微米，而且容易因为侧蚀形成梯形截面。这类工艺适合中低端普通产品，很难满足高速光模块和高阶存储模组的需求。

  改良半加成法采用超薄铜箔基材，再通过图形电镀和闪蚀成型，可以把线微米，线路截面更接近矩形，垂直度更好，信号损耗也更低。对800G、1.6T光模块这类高频高速产品来说，这类工艺是决定产品能否稳定运行的重要条件。

  目前，改良半加成法正从智能手机类载板领域，向高速光模块和高级存储模组渗透。800G和1.6T光模块对高频传输和低功耗要求很高，所需改良半加成法板层数更多、工艺更复杂，单位价值量也高于传统手机板。英伟达Vera CPU配套的SOCAMM2存储模组同样需要高密度布线X封装基板，这一些产品也会带动改良半加成法需求增长。

  鹏鼎控股是高精密电路板龙头，规划的2026年资本开支高达168亿元，重点投向淮安产业园区和泰国生产基地。依据公司披露，鹏鼎控股的类载板产品已经切入800G与1.6T高端市场，并实现量产出货，3.2T产品也已进入研发阶段。2026年初，鹏鼎控股还与淮安经济技术开发区签署协议，计划未来投资110亿元建设新的电路板项目生产基地。

  深南电路和胜宏科技也在加码东南亚高端产能。深南电路投资12.74亿元建设的泰国工厂，目前处于良率爬坡阶段，全面达产后预计将新增十多亿元年产值，并形成高多层板与高阶HDI板的海外供应能力。

  胜宏科技在泰国、越南、马来西亚工厂的投资和生产线建设也在推进，公司明白准确地提出AI电路板是行业中确定性较高的增长方向。

  红板科技则把募集资金投向年产120万平方米的高精密电路板项目，预计将在2026年下半年投产。

  兴森科技CSP封装基板业务在2025年扩产的1.5万平方米/月产能仍处于爬坡阶段，目前总产能已达到5万平方米/月。在高速通信领域，兴森科技1.6T光模块产品板已确定进入量产爬坡阶段，并同步推进多家大客户的验证导入。

  景旺电子新建的珠海高阶HDI工厂总投资25.9亿元，设计年产能60万平方米，目前已完成整体的结构封顶，计划于2026年中期试生产，其泰国工厂也预计在2026年内投产交付。

  方正科技在2025年底通过了近20亿元的AI计算高密度互连电路板生产基地建设项目，珠海P8工厂预计于2026年7月启动设备进场，11月建成并进入试生产。

  生益电子吉安二期项目一期已经正式投产并进入产能爬坡阶段，二期项目预计于2026年第二季度投入到正常的使用中。2025年，生益电子还通过了投资19亿元的高多层算力电路板项目，计划在吉安二期进行第一阶段建设，预计2026年下半年试生产，泰国工厂也已完成厂房整体的结构封顶。

  广合科技作为服务器电路板供应商，产线建设节奏比较清晰。依据公司披露的业务规划，2026年黄石工厂产值预计在15亿元左右，泰国工厂产值超过10亿元，广州基地产值达到60亿元左右。公司目前资本开支主要覆盖广州一厂和二厂技改、三厂新建项目、泰国一期第二阶段投资以及泰国二期建设项目，这些项目的产能释放会更多体现在2027年。

  覆铜板是电路板最重要的原材料之一，在直接材料成本中占比最高，目前价格已确定进入上行区间。电路板成本中，覆铜板约占40%；覆铜板自身成本又主要由铜箔、树脂和玻璃纤维布组成，其中铜箔占39%，树脂占26%，玻璃纤维布占18%。

  2026年以来，上游主要原材料供应商陆续提价。三菱瓦斯化学和力森诺科分别宣布提价30%，日东纺对玻璃纤维产品提价20%。建滔积层板在2026年6月落地年内第五轮提价，将覆铜板和半固化片价格一次性上调15%。这说明本轮涨价并不是单一环节涨价，而是从铜箔、树脂到玻纤布的成本共同上行，再向覆铜板传导。

  在AI需求拉动下，高端低损耗覆铜板也在加速国产替代。普通FR-4材料的介质损耗因子约为0.015至0.020，用于AI服务器、交换机和光模块的M8材料，可以把介质损耗因子降至0.001至0.002。损耗越低，高速信号传输越稳定，这也是AI服务器和高速网络设备必须升级材料的原因。长期以来，这类高端材料主要由海外厂商供应，但国内覆铜板龙头生益科技已经在M8等级实现量产突破，并切入英伟达等主流原厂供应体系，国产替代开始步入更实质的阶段。

  生益科技作为国内覆铜板核心原厂，江西二期、常熟和泰国项目正在陆续投产，全部投产后预计全年新增覆铜板产能约2850万平方米。其中，江西二期项目总投资13亿元，全面达产后可贡献年产1800万平方米覆铜板和3400万米商品粘结片。生益科技投资约52亿元的松山湖项目，设计年产能达到4800万平方米覆铜板和10000万米粘结片，计划于2026年下半年启动，逐步提升极低损耗高速材料的量产供应能力。

  南亚新材和华正新材也在通过募集资金推进高频高速覆铜板项目。南亚新材募集资金7.4亿元，用于南通高阶高频高速覆铜板和粘结片项目建设，规划年产能为720万张高阶板和1600万米粘结片，计划第三年开始试生产，第五年全面达产，达产后预计净利润超过2.5亿元。华正新材则募集10亿元建设高等级覆铜板项目，达产后预计新增年产1200万张高端覆铜板产能。

  中国台湾及海外头部厂商也在加大AI高性能计算材料投资。台光电子计划在中山购地270亩，建设AI高性能计算及先进半导体核心材料研发制造基地，全面达产后预计公司整体年营业收入将突破200亿元。联茂电子计划于2026年第四季度启动泰国厂第二期扩产，预计新增每月30万张覆铜板产能。

  高端材料要保持成本优势和供应稳定，还需要更上游材料的配套。建滔积层板正在围绕玻璃纱、玻璃布和铜箔等基础材料扩产。玻璃纤维布方面，建滔积层板位于广东韶关的年产70000吨电子玻璃纤维纱及年产9600万米电子玻璃纤维布项目，将于2026年下半年投产。

  在广东清远园区，建滔积层板计划于2026年上半年增加三个年产各500吨的窑炉，专门生产第二代低介电常数及低线胀系数电子玻璃纤维纱，并计划再增建八个同规格窑炉，使园区特种电子玻璃纤维纱窑炉总数达到12个。铜箔方面，建滔积层板正在筹建年产2.1万吨的新铜箔厂，预计于2027年年中投产，以缓解上游原材料涨价对盈利的压力。

  存储芯片是AI硬件升级中另一个重要方向。单颗GPU配套的存储容量正在快速提高，英伟达B200 GPU对应HBM容量为192GB，下一代Rubin Ultra对应HBM容量则提升至1024GB。HBM采用硅通孔堆叠和先进封装工艺，每比特消耗的晶圆产能大约是传统CPU内存的3倍。经减配测算，Rubin Ultra单GPU对应的等效DRAM产能消耗高达3858GB，这也是全球存储市场出现供需缺口的重要原因。

  为了确保供应稳定，全球大型云服务商开始和存储原厂签订长期协议，并接受涨价。这样一来，存储原厂的价格和毛利率都有了更强支撑。美光、三星和海力士在2026年第一季度的价格普遍实现60%至90%的环比上涨，闪迪在当季签署了3份长期合同，剩余履约义务规模达到420亿美元。在长期协议锁价保护下，美光和闪迪指引的2026年第二季度毛利率中值分别达到81%和80%，行业资本开支也随之上修。

  在全球存储市场高景气背景下，国内存储厂商长鑫存储已经实现全品类内存矩阵规模化落地。公司产品线X，以及高端LPDDR5和LPDDR5X，并进入小米、OPPO、vivo、传音等主流终端品牌供应链。长鑫存储还掌握PoP、FlipChip等先进封装技术，目前产能位列国内第一、全球第四。2026年第一季度，公司在全球内存市场的份额翻倍至8%。

  产品竞争力提升和市场需求走强，直接拉动了长鑫存储的财务表现和扩产速度。2026年第一季度，长鑫存储营收同比增长719.13%，经营现金流同比增长超过212倍。其母公司长鑫科技科创板首次公开发行股票申请已获得证监会批复同意，拟募集资金295亿元。长鑫存储计划把这些资产金额的投入生产线升级改造，其中存储器晶圆制造量产线亿元，DRAM存储器技术升级项目投资180亿元，前瞻研发技术项目投资90亿元，整体设备投资额超过220亿元。

  国内闪存龙头长江存储在3D NAND领域也保持技术迭代。公司自主研发的Xtacking 3.0架构采用翻转键合设计，实现232层有效堆叠，并推出商用232层闪存产品，在存储密度和传输速率上打破了外部技术限制。随后推出的Xtacking 4.0进一步引入超链接架构，开发出面向企业级与消费级存储需求的1Tb TLC和2Tb QLC产品。2026年第一季度，长江存储营收同比增长近445%，全球闪存市场占有率提升至13%，进入行业第一梯队。

  在技术和资金推动下，长江存储产能也在加快释放。公司已于5月在湖北证监局办理首次公开发行股票并上市的辅导备案登记，在2025年全球独角兽榜中估值达到1600亿元。其投资建设的三期项目已于2025年9月动工，2026年1月开始安装洁净室，并计划于年内建成投产。该项目设计总月产能达到10万片，预计2027年可释放每月5万片晶圆产能。

  长鑫存储和长江存储的大规模扩产，会带动上游半导体设备和核心耗材采购。在闪存领域，3D NAND堆栈层数突破两百层后，沟道孔高深宽比刻蚀难度提高，刻蚀深度从纳米级图形转移延伸到微米级深孔加工，这会增加对高端ICP和CCP刻蚀设备的配置需求。同时，为完成交替沉积薄膜并形成ONON结构，单片晶圆所需PECVD、ALD等薄膜沉积设备的工序次数和价值量也会上升。

  在内存领域，由于无法获取极紫外光刻机，国内原厂在向15纳米及以下先进制程推进时，需要更多依赖浸没式光刻，并配合自对准双重图形化或四重图形化技术。多重图形化会把原本一步光刻拆成多个循环，包括芯轴形成、侧墙沉积和侧墙刻蚀等步骤，使单片晶圆在刻蚀机、去胶机、单片清理洗涤设施以及量测和缺陷检验测试设备中的流转次数明显增加。

  制造工艺越复杂，核心材料和化学品消耗量也会同步增加。平坦化工序中，多层介质结构和关键层图形转移增加，会带动抛光液、抛光垫以及抛光后清洗液等CMP材料用量增长。刻蚀和沉积环节，高深宽比通道刻蚀需要大量高纯度C4F8、C4F6、CF4、CHF3等含氟气体，以及NF3、SF6等清洗气体。原子层沉积工艺增加后，也会拉动锆基和铪基前驱体、钨前驱体以及关键金属靶材等高壁垒材料采购，为本土上游供应商带来更稳定的订单支撑。

  鹏鼎控股、深南电路、胜宏科技、红板科技、兴森科技、景旺电子、方正科技、生益电子、广合科技、生益科技、南亚新材、华正新材、台光电子、联茂电子、建滔积层板。

  长鑫科技、长江存储、兆易创新、北京君正、普冉股份、华润微、联芸科技、北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、盛美上海、京仪装备、中科飞测、精测电子、芯源微、长川科技、金海通、富创精密、江丰电子、强一科技、矽电股份、兴福电子、安集科技、沪硅产业、鼎龙股份、雅克科技、上海新阳、南大光电。